IC产品 分立器件 - 北京首天伟业科技苹果彩票网

最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
STMICROELECTRONICS - VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC STMICROELECTRONICS - VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):60mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOIC
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:3.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国2500
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC STMICROELECTRONICS - VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):120mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOIC
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:1.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国270
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC STMICROELECTRONICS - VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):250mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOIC
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:0.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡82
    英国486
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8 STMICROELECTRONICS - VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):35mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOIC
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:7A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国49
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNP35NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220 STMICROELECTRONICS - VNP35NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):13mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:15A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡10
    英国351
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNP35N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220 STMICROELECTRONICS - VNP35N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:70V
  • 电流, Id 连续:18A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国644
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220 STMICROELECTRONICS - VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.035ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:42V
  • 电流, Id 连续:14A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国245
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNP20N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220 STMICROELECTRONICS - VNP20N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.05ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:70V
  • 电流, Id 连续:10A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡20
    英国301
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203 STMICROELECTRONICS - VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):35mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:7A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡30
    英国362
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220 STMICROELECTRONICS - VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:70V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223 STMICROELECTRONICS - VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):60mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • 封装类型:SOT-223
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:3.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡44
    英国579
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223 STMICROELECTRONICS - VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • 针???数:3
  • 封装类型:SOT-223
  • 电源电压 最大:45V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出电流:2.6A
  • 上海 0
    新加坡60
    英国1005
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK STMICROELECTRONICS - VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):60mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:3.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK STMICROELECTRONICS - VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):250mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:0.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国4785
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK STMICROELECTRONICS - VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):35mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:7A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
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